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二氧化锗靶材GeO2磁控溅射靶材

价格:面议 2021-11-10 02:36:01 665次浏览

科研实验专用二氧化锗靶材GeO2磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

二氧化锗(GeO2)为白色粉末或无色结晶,溶于碱中生成锗酸盐,有稍溶于水的六方晶系(低温稳定)和不溶性的正方晶系两种,转变温度为1033℃,电子式与二氧化碳相同。主要用于制金属锗,也用作光谱分析及半导体材料。

产品参数

中文名称:氧化锗

中文别名:二氧化锗

英文名称:Germanium oxide

CAS号:1310-53-8

分子式:GeH2O2

分子量:106.65500

质量:107.92700

PSA:34.14000

外观与性状:白色粉末或无色晶体

密度:6.239g/cm3

纯度 99.999%

熔点:1115ºC

沸点:1200ºC

折射率:1.99

支持靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!!

服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!

产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备

质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。

加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差,连续长时间溅射易发生靶裂情况,绑定背靶后,可提高化合物靶材的导热性能,提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您,选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶!

我公司采用高纯铟作为焊料,铟焊厚度约为0.2mm,高纯无氧铜作为背靶。

注意:高纯铟的熔点约为156℃,靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化!绑定背靶不影响靶材的正常使用!

建议:陶瓷脆性靶材、烧结靶材,高功率下溅射易碎,建议溅射功率不超过3W/cm2。

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